應用領域：極大規模集成電路制造專用設備，工藝時間短，生產效率高，具有出色的工藝性能，達到國際先進水平。產品優勢：1、晶片直徑8英寸2、產能（片/批次）150片3、晶片高速搬送系統，實現高吞吐量4、精密

應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規模集成電路制造等領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝，可用于2-6英寸工藝尺寸。

LPCVD產品應用：用于4-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜（如PSG或BPSG等）

　　采用閉管擴散的方式。碳化硅漿把石英舟放入石英管后再退出石英管，保證整個工藝過程完全不受外界環境干擾。系統整機清潔降低了石英制品清洗的頻次。控制終端采用專業工控機配備進口溫控儀表、質量流量計及完善的

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產。

該設備主要用于納米材料如石墨烯薄膜生長、碳納米管陣列生長等，以及晶片表面生長多晶硅、氮化硅、擴散、氧化、退火等工藝

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產。

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產。

青島賽瑞達電子裝備股份有限公司該設備主要用在Si片表面生長氮化硅薄膜。特點：40KHZ中頻等離子體，加熱，真空。

用于200-600度的低溫熱處理，可以配置N2，H2，O2。特點：低溫爐體，溫控相響應快，可以實現快速降溫，快速升溫。

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產。

用于200-600度的低溫熱處理，可以配置N2，H2，O2。特點：低溫爐體，溫控相響應快，可以實現快速降溫，快速升溫。

采用箱式結構，加熱箱體可移動，下部配有料車，可實現2工位率工作。加熱體采用硅鉬棒，可加熱到1500℃，用于藍寶石退火工藝。

青島賽瑞達電子裝備股份有限公司用于半導體工藝中氧化、擴散爐系列的加熱爐體。可定制3段溫區、5段溫區。

LEC單晶爐是采用液體封裝CZ法（Liquid EncapsulatedCzochralski）拉晶，屬于硬軸提拉式單晶爐。該設備操作方便，采用獨特的扒渣和加料機構，減少開門次數，以提升棒料純度及生產